- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录458 > IXFX140N25T (IXYS)MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
IXFK140N25T
IXFX140N25T
140
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
120
100
8V
7V
280
240
8V
7V
200
80
6V
160
60
120
40
80
6V
20
0
5V
40
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
140
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Junction Temperature
120
100
80
60
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 140A
I D = 70A
1.2
40
20
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Drain Current
160
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
T J = 125oC
140
120
100
80
60
1.4
40
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF:F_140N25T(9W)3-25-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
IXFX200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
IXFX24N100
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
IXFX250N10P
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
IXFX260N17T
MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
IXFX26N120P
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
IXFX32N50
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFX140N30P
功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX14N100
功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N15
功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N30P3
功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX15N100
功能描述:MOSFET 1KV 15A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX160N30T
功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX16N90
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFX170N20P
功能描述:MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube